28.05.2024
DMN26D0UT-7
Характеристики DMN26D0UT-7
-
Серия-
-
ПроизводительDiodes Inc
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureLogic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 Ohm @ 100mA, 4.5V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C230mA
-
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs-
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds14.1pF @ 15V
-
Power - Max300mW
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусSOT-523
-
УпаковкаTape & Reel (TR)
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
27.05.2024
26.05.2024